N-kanallı və P-kanallı MOSFET-lər arasındakı fərqlər

N-kanallı və P-kanallı MOSFET-lərin müqayisəsi

Əvvəllər P kanallı MOSFET-lər çox məşhur idi,çünki istehsalı N-kanallı MOSFET-dən daha rahat və ucuz başa gəlirdi.

Ancaq indi bu problemlərin öhdəsində gəlinib və N-kanallı MOSFET-lərin kütləvi istehsalı rahatlaşdı.Beləliklə N-kanallı MOSFET-lər P kanallı MOSFET-lərin yerini almışdır və P kanallı MOSFET-lər hardasa demək olar istifadə edilmir.

• N-kanallı tranzistorda yükdaşıyıcılar elektronlar ,P kanallılarda isə deşiklərdir.
• Elektronların hərəkət sürəti deşiklərin hərəkət sürətindən təxminən 2.5 dəfə yüksəkdir.
  Belə ki, bir P kanallı MOSFET,eyni İd (mənsəb cərəyan şiddəti) dəyərinə sahib N kanallı MOSFET-dən daha geniş bir yer alar.
• Normal sahələrdə ,silikonda,deşiklərin hərəkətliliyi 500 sm2/v*san, elektronların hərəkətliliyi 1300 sm2/v*san təşkil edir.Buna görə P-kanallı tranzistorlarda açıq vəziyyətdə Mənbə-Mənsəb müqaviməti (D-S) N kanallı (N-kanallıda elektronlar daşıyıcı olduğuna görə müqavimət az olur) tranzistorlardakına nisbətən 2 dəfə çoxdur.

Yadda saxlayın:

1. Cihazın (tranzistorun) “Açıq” (ON) (tranzistorun açılmış halda olan müqaviməti) müəyyən bir Vds üçün Id maksimum olduqda olan müqavimətdir.Onun dəyəri μ daşıyıcılardan asılıdır.
2. P-kanal tranzistorlar əksər daşıyıcılar kimi deşiklərə malikdir.
3. N-kanal tranzistorlar əksər daşıyıcılar kimi elektronlara malikdir.

• Eyni İd və Vds dəyərlərində ,P-kanal tranzistorun Açıq (ON) müqaviməti N-kanal tranzistorun Açıq (ON) müqavimətinin azaldılması,bərabər olması hallarında,P kanallı tranzistorun N-kanal tranzistorun iki qatında daha artıq böyüklükdə olması lazımdır.Beləlikə,N kanallı tranzistorların ölçüləri daha kiçik olacaqdır.Başqa sözlə,N kanallı tranzistorların qablaşdırma sıxlığı daha çoxdur (R = ρ*L / A)
• N kanallı MOSFET-lər sürətli keçid cihazlarıdır(tranzistorlarıdır).Çalışma sürəti cihazın RC zaman sabiti ilə limitlidir.Əməliyyat sürəti cihazın RC vaxt sabitliyi ilə məhdudlaşır. Tutum,qovşağın kəsişmələrinə mütənasibdir(junction cross sections).
• Müqayisə üçün eyni gücdə N kanallı tranzistora bərabər P kanallı tranzistor istehsal etmək üçün epitaksial təbəqinin sahəsi təxminə iki dəfə böyük olmalıdır.Buda tranzistorun ölçülərinin böyüməsinə gətirib çıxarır.
• N kanllı tranzistorların açılıb-bağlanma tezliyi yüksəkdir.
• N kanallı MOSFET-lər TTL-ə uyğundur.Buna səbəb tətbiq edilən qapının gərginliyi və Mənsəb (Drain) qidala gərginliyi N-kanal enhancement MOSFET üçün müsbətdir.
• P kanallı tranzistorlarda mənsəb (drain) müqaviməti,eyni bir N kanallı tranzistorlarla müqayisədə təxminən 3 dəfə çoxdur,buda itkilərə,parazit tutumların artmasına (isinməyə və s.) gətirib çıxarır.
• N-Channel MOSFET daha yüksək qablaşdırma sıxlığına malikdir.Daha kiçik qovşaq sahələri (junction areas) və daha sürətli olmasının təmin edən daha aşağı spesifik tutum səbəbiylə yüksək tezlikli kommutasiya cihazlarında (switching applications) tətbiq edilir.
• N-kanal MOSFET eyni mürəkkəblik üçün P-kanal cihazından daha kiçikdir.
• Müsbət yüklənmiş yüklər səbəbindən N-kanal MOSFET (vaxtından əvvəl) açıla bilər , halbuki bu yüklər P-kanal tranzistora təsir etməyəcəkdir.

N Kanal və P Kanal MOSFET lər arasındakı fərqlərin xülasəsi aşağıdakı cədvəldə verilmişdir.

N Kanal və P Kanal MOSFET-lər arasındakı fərq haqqında oxuduğunuz üçün təşəkkür edirəm.
Fikirləri bildirməyinizi unutmayın🙂