IGBT qapısını V CE(sat) və keçid xarakteristikaları üçün sınaq şərti kimi məlumat vərəqində göstərilən V GE dəyərinə bərabər gərginlikdə və ya V GE-yə yaxın gərginlikdə idarə etməyi düşünün ( aşağıdakı cədvəllərə baxın). Qapı-emitter gərginliyinin (V GE ) artırılması mütləq maksimum dərəcəyə nisbətdə keçidi (margin) azaldır, qapı-emitter gərginliyinin azaldılması isə V CE(sat) -ın aşağıda göstərildiyi kimi artmasına səbəb olur və keçid itkisini artırır. Qapı-emitter gərginliyi çox aşağı olarsa, IGBT kifayət qədər idarə olunmadığı üçün sistem qənaətbəxş işləməyə bilər. Ümumiyyətlə, biz V GE flaş işıq tətbiqləri kimi tətbiqlər üçün olan xüsusi təyinatlı IGBT-lər istisna olmaqla, gərginlik səviyyəsinin 15 V-a bərabər və ya yaxın olmasını tövsiyyə edirik.
Həmçinin, IGBT-nin qapı-emitter gərginliyi ilə qapının əyilmə gərginliyi arasında fərq olduqda, elə bir dizayn yaradılmalıdır ki, IGBT-nin qapı-emitter gərginliyi yuxarıda qeyd olunan dəyərə çevrilsin.
(Qeyd: Ümumiyyətlə, IGBT söndürüldükdə onun qapı-emitter gərginliyi sıfır təyin edilir. Bununla belə, bəzi hallarda IGBT keçid əməliyyatını sabitləşdirmək üçün qapı-emitter gərginliyi əks istiqamətə yönəldilir.)
Statik Xüsusiyyətlər (T a =25 ℃, başqa cür göstərilməyibsə)
Dinamik Xüsusiyyətlər (T a =25 ℃, başqa cür göstərilməyibsə)
