MOSFET və İGBT sürməyin başqa bir yolu MOSFET, İGBT sürücü mikrosxemləri istifadə etməkdir. Bu mikrosxemlər bootstrap kondensatorunu yükləmək üçün istifadə edir,qapı gərginliyinin həmişə mənbə gərginliyindən bootstrap kondensatorundakı gərginlik daha yüksək olmasını təmin edir. Bu şəkildə MOSFET və İGBT sürülməsi (süitching) həyata keçirilə bilər.
C4 və C3, VDD qida dövrəsinə aiddir. C4 gərginliyin sıçrayışlarının qarşısını alır, C3 qidalanma gərginliyinin (tam sabt olmasına) hamarlanmasına kömək edir. Q2 tranzistoru on olduqda, D1 diodu C1 və C2 bootstrap kondensatorlarının VCC üzərindən doldurulmasını təmin edir. Diqqət etdinizsə,bootstrap kondensatorları yalnız və yalnız Q2 tranzistoru on olduğu zaman,terminallarına +12V tətbiq olunur. Bu şəkildə də kondensatorlar yüklənir. Yüklənmiş bu kondansatorların gərginliyi Q1-i açmaq, yəni onu on etmək üçün istifadə olunur. Q1 hər dəfə on olduğu zaman,bu kondensatorlarda olan gərginlik source (mənbə) gərginliyinə əlavə olunur, buna görə gate (qapının) gərginliyi həmişə mənbədən (source-dan) kondansator yüklənmiş gərginlik qədər çox olur. Q1’nin mənbə ayağı float bir nöqtədir, yəni yerə (GND-a) istinad edilə bilməyəcək bir nöqtədir. MOSFET-i on vəziyyətinə gətirmək üçün Vgs gərginliyini tətbiq etmək lazımdır, ancaq bu gərginlik həmişə MOSFET-in source (mənbə) ayağına görə “+” gərginlik olmalıdır. Q2 mənbə ayağı qida gərginliyi ilə eyni istinad (referance) nöqtəsini bölüşdüyü üçün Q2 MOSFET sürücüsüz də on edilə bilər. Ancaq Q1-i on etməyin (açmağın) iki yolu var, biri İR2110 kimi MOSFET sürücüsündən istifadə etmək, digəri isə qapı (gate) sürücü transformatorundan istifadə etməkdir. MOSFET sürücüsündə bootstrap kondensator gərginliyi MOSFET-i on etmək (açmaq) üçün istifadə edildiyi halda, transformatorda birbaşa təcrid təmin edildiyi üçün istənilən bir + gərginliyi ilə MOSFET asanlıqla aktivləşdirilə bilər.
Bootstrap kondensatoru olaraq tək bir tantal kondansatör və ya bir elektrolitik bir keramik kondensator istifadə edə bilərsiniz. Sxemdə elektrolit və keramik kondensator istifadə olunur. Bootstrap kondensatorunun dəyəri mənim bildiyim qədər vacib deyil. Yalnız çox böyük və ya çox kiçik olmamalıdır. İnternetdə görə biləcəyim qədər 30 ilə 50 kHz arasında 4.7uF ilə 22uF arasında dəyişir. Tezlik artdıqca kondensatorun dəyəri də azalır.
İnternetdə gördüyüm və istfadə etmədiyim veb əsaslı hesablayıcıdan da istifadə edə bilərsiniz.
http://www.silabs.com/support/Pages/bootstrap-calculator.aspx
R3 və R4-ə paralel bir şottki diod əlavə edə bilərsiniz. Bu diodlar və bunlara paralel rezistorlar yanlış tətiklənmənin qarşısını alır. Qapının (gate-in) müqavimətinə paralel olan diod MOSFET-in daha sürətli boşalmasına imkan verir.
MOSFET sürücülərindən H-körpüsü kimi sxemlərdə, sxemdəki kimi float node olan hallarda istifadə olunur.
Növbəti yazıda bu mövzunu daha geniş izah etməyə çalışacağam.
Yazının hazırlanmasında diyot.net saytındakı oxşar məqalədən istifadə edilmişdir.
